2nm工艺是半导体制造中的下一个关键节点，标志着MOSFET芯片微缩技术的进一步突破。尽管“2nm”这一术语与实际物理特征无直接关联，但根据IEEE的预测，2nm节点的接触栅极间距和最紧密金属间距将显著缩小。相较于3nm和5nm工艺，2nm制程的晶体管密度实现了巨大飞跃，预计每平方毫米将超过3.5亿个晶体管，性能提升约15%-20%，功耗降低10%-15%。这将使得芯片在多任务处理和日常应用中表现更为出色。

全球半导体巨头在2nm领域的进展备受瞩目。台积电在2nm技术开发上领先，预计今年实现量产，其性能和功耗均有显著提升，但晶圆价格高昂引发客户担忧。三星同样全力以赴，计划于2025年第一季度试产2nm芯片，并前瞻布局1.4nm生产线。英特尔凭借“四年内五个节点计划”重返2nm战场，其RibbonFET和PowerVia技术为芯片性能提升开辟新途径。此外，Rapidus作为后起之秀，计划于2027年开始量产2nm芯片，并与多家企业洽谈代工业务。随着技术演进和成本控制，2nm工艺的发展前景广阔，竞争局面将持续演变。